GaP


  • Struttura cristallina:Blenda di zincu
  • Gruppu di simetria:Td2-F43m
  • Numeru di atomi in 1 cm3:4,94·1022
  • Coefficiente di ricombinazione Auger:10-30 cm6/s
  • temperatura di Debye:445 K
  • Detail di u produttu

    Parametri tecnichi

    U cristallu di fosfuru di galiu (GaP) hè un materiale otticu infrarossu cù una bona durezza di a superficia, alta conduttività termale è trasmissione di banda larga.A causa di e so eccellenti proprietà ottiche, meccaniche è termali, i cristalli GaP ponu esse appiicati in u campu militare è in altri campi d'alta tecnulugia cummerciale.

    Pruprietà di basa

    Struttura cristallina Blenda di zincu
    Gruppu di simetria Td2- F43 m
    Numaru di atomi in 1 cm3 4,94·1022
    Coefficient di ricombinazione Auger 10-30cm6/s
    Debye a temperatura 445 K
    Densità 4,14 g cm-3
    Custante dielettrica (statica) 11.1
    Custante dielettrica (alta frequenza) 9.11
    Massa elettronica efficaceml 1.12mo
    Massa elettronica efficacemt 0,22mo
    Masse di buchi efficacemh 0.79mo
    Masse di buchi efficacemlp 0,14mo
    Affinità elettronica 3,8 eV
    Lattice constant 5.4505 A
    Energia ottica fonetica 0,051

     

    Parametri tecnichi

    Spessore di ogni cumpunente 0,002 è 3 +/-10% mm
    Orientazione 110 - 110
    Qualità di a superficia scr-dig 40-20 - 40-20
    Piattezza onde a 633 nm - 1
    Parallelismu arc min < 3