KD*P EO Q-Switch

Tensione d'onda 1/4:3,3 kV

Errore di fronte d'onda trasmessa: < 1/8 d'onda

ICR:> 2000: 1

VCR:> 1500: 1

Capacità:6 pF

Soglia di dannu:> 500 MW / cm2 @1064nm, 10ns

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Detail di u produttu

Parametri tecnichi

EO Q Switch altera u statu di polarizazione di a luce chì passa à traversu quandu una tensione applicata induce cambiamenti di birefringenza in un cristallu elettro-otticu cum'è KD * P.Quandu s'utilice in cungiunzione cù polarisers, sti celluli ponu funziunà cum'è switch ottici, o laser Q-switches.
Forniscemu EO Q-Switch basati nantu à a tecnulugia avanzata di fabricazione di cristalli è di rivestimentu, pudemu offre una varietà di interruttori EO Q di lunghezze d'onda laser chì mostra alta trasmissione (T> 97%), soglia alta dannata (> 500W / cm2) è altu rapportu di estinzione. (> 1000: 1).
Applicazioni:
• Sistemi laser OEM
• Laser medicale / cusmetichi
• Piattaforme laser versatile R & D
• sistemi laser militari & aerospace

Features	Beneficii
Qualità CCI - prezzu economicamente	Valore eccezziunale
I migliori KD*P senza ceppi	Rapportu di cuntrastu altu
	Soglia di dannu altu
	Bassa tensione di 1/2 onda
Spaziu efficiente	Ideale per i laser compatti
Aperture di ceramica	Pulito è altamente resistente à i danni
Rapportu di cuntrastu altu	Ritenimentu eccezziunale
Connettori elettrici rapidi	Installazione efficiente / affidabile
Cristalli ultra-piatti	Eccellente propagazione di u fasciu

Tensione d'onda 1/4	3,3 kV
Errore di Fronte d'onda trasmessa	< 1/8 d'onda
ICR	> 2000: 1
VCR	> 1500: 1
Capacità	6 pF
Soglia di dannu	> 500 MW / cm²@1064nm, 10ns