Nd: YVO4 hè u cristallu d'ospite laser più efficiente per u pompamentu di diodi trà i cristalli laser cumerciali attuali, in particulare, per a densità di putenza bassa à media.Questu hè principalmente per e so caratteristiche di assorbimentu è emissioni chì superanu Nd:YAG.Pompatu da diodi laser, u cristallu Nd:YVO4 hè statu incorporatu cù cristalli di coefficienti NLO elevati (LBO, BBO, o KTP) per cambià a frequenza di l'output da l'infrarouge vicinu à u verde, blu, o ancu UV.Questa incorporazione per custruisce tutti i laser à stati solidi hè un strumentu laser ideale chì pò copre l'applicazioni più diffuse di laser, cumprese machining, processing materiale, spettroscopia, spettroscopia, spettro di wafer, display di luci, diagnostichi medichi, stampa laser, è almacenamiento di dati, etc. hè statu dimustratu chì Nd: YVO4 basatu diode pumped state solidu laser sò rapidamenti occupà i mercati tradizionalmente duminatu da laser ionica-cooled acqua è laser lamp-pumped, soprattuttu quandu u disignu compactu è outputs single-longitudinal-mode sò nicissarii.
Vantaghji di Nd:YVO4 nantu à Nd:YAG:
• Cum'è circa cinque volte più grande assorbimentu efficiente nantu à una larghezza di banda larga di pumping attornu à 808 nm (per quessa, a dependenza di a lunghezza d'onda di pumping hè assai più bassu è una forte tendenza à l'output single mode);
• As grande cum'è trè volte più grande stimulated emission cross-section à u lasing wavelength di 1064nm;
• Lower lasing threshold è più altu efficienza slope;
• Cum'è un cristal uniaxial cù una grande birrefringence, l'emissione hè solu un polarized linearly.
Proprietà laser di Nd:YVO4:
• Un caratteru più attrattiva di Nd: YVO4 hè, cumparatu cù Nd: YAG, u so coefficient d'absorzione 5 volte più grande in una larghezza di banda d'absorzione più larga intornu à a lunghezza d'onda di pompa di punta di 808nm, chì currisponde solu à u standard di diodi laser d'alta putenza attualmente dispunibili.Questu significa un cristallu più chjucu chì puderia esse usatu per u laser, chì porta à un sistema laser più compactu.Per una certa putenza di output, questu significa ancu un livellu di putenza più bassu à quale opera u diodu laser, allargendu cusì a vita di u diodu laser caru.A larghezza di banda di assorbimentu più larga di Nd: YVO4 chì pò ghjunghje da 2,4 à 6,3 volte quella di Nd: YAG.In più di un pumping più efficiente, significa ancu una gamma più larga di selezzione di specificazioni di diodi.Questu serà utile à i produttori di sistemi laser per una tolleranza più larga per una scelta di costu più bassu.
• Nd: YVO4 cristallu hà più grande stimulated emission cross-sections, tramindui à 1064nm è 1342nm.Quandu a-axis cut Nd: YVO4 crystal lasing à 1064m, hè circa 4 volte più altu ch'è quellu di Nd: YAG, mentri à 1340nm a sezione trasversale stimulata hè 18 volte più grande, chì porta à una operazione CW chì supera completamente Nd: YAG. à 1320 nm.Quessi facenu chì u laser Nd: YVO4 sia faciule per mantene una forte emissione di linea unica à e duie lunghezze d'onda.
• Un altru caratteru impurtante di Nd: YVO4 lasers hè, perchè hè un uniaxial piuttostu cà un altu simetria di cubic cum'è Nd: YAG, emetti solu un laser polarized linearly, evitendu cusì effetti birefringent indesered nant'à a cunversione di frequenza.Ancu s'è a vita di Nd: YVO4 hè di circa 2,7 volte più corta chè quella di Nd: YAG, a so efficienza di pendenza pò esse sempre abbastanza alta per un disignu propiu di cavità laser, per via di a so alta efficienza quantum di pompa.
Densità atomica | 1,26 × 1020 atomi/cm3 (Nd1,0%) |
Parametru Crystal StructureCell | Zircon Tetragonal, gruppu spaziale D4h-I4/amd a = b = 7,1193Å, c = 6,2892Å |
Densità | 4,22 g/cm3 |
Durezza di Mohs | 4-5 (semblable à un verre) |
Coefficient d'espansione termale(300K) | αa=4,43×10-6/K αc=11,37×10-6/K |
Coefficient di Conductivity Thermal(300K) | ∥C:0,0523 W/cm/K ⊥C:0,0510 W/cm/K |
Lunghezza d'onda Lasing | 1064 nm,1342 nm |
Coefficient otticu termale(300K) | dno/dT=8,5×10-6/K dne/dT=2,9×10-6/K |
Sezione trasversale di emissioni stimulate | 25×10-19cm2 @ 1064nm |
Vita fluorescente | 90 μs (1%) |
Coefficient d'absorption | 31,4 cm-1 @ 810 nm |
Perdita intrinseca | 0,02 cm-1 @1064 nm |
Guadagna larghezza di banda | 0,96 nm @ 1064 nm |
Emissione laser polarizzata | polarizazione;parallele à l'asse otticu (asse c) |
Diode pumped otticu à efficienza otticu | > 60% |
Parametri tecnichi:
Smusso | <λ/4 @ 633 nm |
Tolleranza dimensionale | (L ± 0,1 mm) x (H ± 0,1 mm) x (L + 0,2/-0,1 mm)(L<2,5 mm)(L ± 0,1 mm) x (H ± 0,1 mm) x (L + 0,5/-0,1 mm)(L>2,5 mm) |
Apertura chjaru | Centrale 95% |
Piattezza | λ/8 @ 633 nm, λ/4 @ 633 nm(spetture menu di 2 mm) |
Qualità di a superficia | 10/5 Scratch/Dig per MIL-O-1380A |
Parallelismu | megliu cà 20 arc seconde |
Perpendicularità | Perpendicularità |
Smusso | 0,15 x 45 gradi |
Rivestimentu | 1064 nm,R<0,2%;Rivestimentu HR:1064 nm,R>99,8%,808 nm,T>95% |